SI3456DDV-T1-GE3 与 RQ6E045SNTR 区别
| 型号 | SI3456DDV-T1-GE3 | RQ6E045SNTR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-SI3456DDV-T1-GE3 | A33-RQ6E045SNTR | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40 mOhms @ 5A,10V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) | 950mW(Ta) | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 38mOhms@4.5A,10V | ||||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V@1mA | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | TSOT-23-6 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 6.3A(Tc) | 4.5A(Ta) | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 9.5nC@5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,969 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI3456DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.3A(Tc) N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,979 | 对比 | ||||||||||||
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RQ6E045SNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150°C(TJ) 30V |
￥2.8844
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2,969 | 对比 | ||||||||||||
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RQ6E045SNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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