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SI3456DDV-T1-GE3  与  DMG6402LVT-7  区别

型号 SI3456DDV-T1-GE3 DMG6402LVT-7
唯样编号 A-SI3456DDV-T1-GE3 A-DMG6402LVT-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40 mOhms @ 5A,10V 30mΩ
上升时间 - 6.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 1.75W
Qg-栅极电荷 - 11.4nC
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 1.5V
典型关闭延迟时间 - 13.9ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TSOT-23-6 TSOT-26
连续漏极电流Id 6.3A(Tc) 6A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMG6402
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 498pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.4nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 2.8ns
典型接通延迟时间 - 3.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3456DDV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6.3A(Tc) N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,979 对比
RQ6E045SNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150°C(TJ) 30V

¥2.8844 

阶梯数 价格
60: ¥2.8844
100: ¥2.2423
300: ¥1.8111
500: ¥1.7249
1,000: ¥1.6674
2,969 对比
RQ6E045SNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150°C(TJ) 30V

暂无价格 100 对比
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V

暂无价格 0 对比
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V

暂无价格 0 对比

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