SI3443DDV-T1-GE3 与 CPH6347-TL-W 区别
| 型号 | SI3443DDV-T1-GE3 | CPH6347-TL-W |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI3443DDV-T1-GE3 | A3t-CPH6347-TL-W |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Si3443DDV Series 20 V 0.047 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - TSOP-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 1.6W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47mΩ@4.5A,4.5V | 39 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TSOP | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4A | 6A(Ta) |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 970pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 8V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 1.8V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.4V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 860pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.5nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI3443DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 47mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP P-Channel 20V 4A |
暂无价格 | 20 | 当前型号 | ||||||||
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FDC604P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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FDC604P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
￥1.562
|
870 | 对比 | ||||||||
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PMN48XP | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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SI3443DVTRPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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CPH6347-TL-W | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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