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SI3440DV-T1-GE3  与  FDC86244  区别

型号 SI3440DV-T1-GE3 FDC86244
唯样编号 A-SI3440DV-T1-GE3 A3t-FDC86244
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 0.375 O 8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 N-Channel 150 V 2.3 A 144 mOhm SuperSOT-6 Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 375mΩ 144 毫欧 @ 2.3A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 1.14W(Ta) 1.6W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TSOP-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.5A 2.3A(Ta)
系列 TrenchFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 345pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V 6nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 345pF @ 75V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6nC @ 10V
库存与单价
库存 65 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3440DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.14W(Ta) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 150V 1.5A 375mΩ

暂无价格 65 当前型号
IRF5802TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 1.2Ω@540mA,10V N-Channel 150V 0.9A Micro6™(TSOP-6)

暂无价格 3,000 对比
FDC86244 ON Semiconductor 功率MOSFET

1.6W(Ta) 144m Ohms@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT 2.3A N-Channel 150V 2.3A(Ta) ±20V 144 毫欧 @ 2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

¥1.969 

阶梯数 价格
30: ¥1.969
100: ¥1.584
750: ¥1.408
1,500: ¥1.331
2,313 对比
FDC2512 ON Semiconductor 通用MOSFET

暂无价格 0 对比
FDC2512NL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FDC86244 ON Semiconductor 功率MOSFET

1.6W(Ta) 144m Ohms@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT 2.3A N-Channel 150V 2.3A(Ta) ±20V 144 毫欧 @ 2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 对比

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