SI2399DS-T1-GE3 与 DMP2100U-7 区别
| 型号 | SI2399DS-T1-GE3 | DMP2100U-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2399DS-T1-GE3 | A-DMP2100U-7 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 34mΩ@5.1A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) | 800mW(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 38mΩ@3.5A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 216 pF @ 15 V |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±10V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 9.1 nC @ 4.5 V |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.1A | 4.3A(Ta) |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 驱动电压 | - | 1.8V,10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 835pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 34mΩ@5.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
￥0.8665
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110 | 对比 | ||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP2100U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 800mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.3A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP2100U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 800mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.3A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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