SI2399DS-T1-GE3 与 AO3415A 区别
| 型号 | SI2399DS-T1-GE3 | AO3415A |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2399DS-T1-GE3 | A-AO3415A |
| 制造商 | Vishay | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 80 |
| Td(off)(ns) | - | 19 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 34mΩ@5.1A,10V | 41mΩ@-4A,-4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) | 1.5W |
| Qrr(nC) | - | 51 |
| VGS(th) | - | -0.9 |
| Qgd(nC) | - | 2.2 |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±8V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| Td(on)(ns) | - | 13 |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 5.1A | -5A |
| 系列 | SI | - |
| Ciss(pF) | - | 751 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 835pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | - |
| Trr(ns) | - | 26 |
| Coss(pF) | - | 115 |
| Qg*(nC) | - | 9.3 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 34mΩ@5.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
￥0.8665
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110 | 对比 | ||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP2100U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 800mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.3A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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|
DMP2100U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 800mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.3A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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