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SI2374DS-T1-GE3  与  IRLML6244TRPBF  区别

型号 SI2374DS-T1-GE3 IRLML6244TRPBF
唯样编号 A-SI2374DS-T1-GE3 A-IRLML6244TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Si2374DS Series 20 V 0.030 Ohm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23 (TO-236) Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.9 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@4A,4.5V 21mΩ@6.3A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 96mW,80mW 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.5A 6.3A
系列 TrenchFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 16V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 735pF @ 15V 700pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V 8.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.8429
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2374DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±8V 96mW,80mW 30mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236 N-Channel 20V 4.5A

¥0.8429 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.8429
0 当前型号
MGSF1N02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 142,000 对比
NTR4501NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3(TO-236-3)

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
14,364 对比
MGSF1N02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8734
1,500: ¥0.759
3,000: ¥0.7073
9,983 对比
IRLML6244TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
NTR4501NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3(TO-236-3)

暂无价格 3,000 对比

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