SI2365EDS-T1-GE3 与 SSM3J328R,LF 区别
| 型号 | SI2365EDS-T1-GE3 | SSM3J328R,LF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2365EDS-T1-GE3 | A3t-SSM3J328R,LF |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 20 V 32 mOhm 1.17 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 | MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 32 mOhms @ 4A,4.5V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20 V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta),1.7W(Tc) | 1W(Ta) |
| 产品状态 | - | 在售 |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 29.8 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 840 pF @ 10 V |
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | 1V @ 1mA |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 12.8 nC @ 4.5 V |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23F |
| 连续漏极电流Id | 5.9A(Tc) | 6A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±8V | ±8V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.5V,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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PMV48XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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PMV32UP-215 | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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SSM3J328R,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) SOT-23F 150°C(TJ) 20 V 6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMV32UP | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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FDV304PSOT23FDV304P_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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