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SI2365EDS-T1-GE3  与  PMV32UP-215  区别

型号 SI2365EDS-T1-GE3 PMV32UP-215
唯样编号 A-SI2365EDS-T1-GE3 A3t-PMV32UP-215
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 Single P-Channel 20 V 32 mOhm 1.17 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23-3 -
连续漏极电流Id 5.9A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 32 mOhms @ 4A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta),1.7W(Tc) -
Vgs(最大值) ±8V -
Vgs(th) 1V @ 250uA -
FET类型 P-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 当前型号
PMV48XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A

暂无价格 3,000 对比
PMV32UP-215 Nexperia 未分类

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SSM3J328R,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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PMV32UP Nexperia 通用MOSFET

P-Channel

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FDV304PSOT23FDV304P_NL ON Semiconductor 未分类

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