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SI2338DS-T1-GE3  与  IRLML6344TRPBF  区别

型号 SI2338DS-T1-GE3 IRLML6344TRPBF
唯样编号 A-SI2338DS-T1-GE3 A-IRLML6344TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 28 mOhm 13 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ 29mΩ@5A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 6A 5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 TrenchFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 424pF @ 15V 650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V 6.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 3,048
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.3941
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2338DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ

¥1.3941 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.3941
0 当前型号
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23

暂无价格 3,048 对比
FDN537N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 23 毫欧 @ 6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比
IRLML0030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 27mΩ@5.2A,10V N-Channel 30V 5.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
PMV20EN Nexperia 通用MOSFET

N-Channel

暂无价格 0 对比
FDN537N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 23 毫欧 @ 6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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