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SI2333DDS-T1-GE3  与  FDN306P  区别

型号 SI2333DDS-T1-GE3 FDN306P
唯样编号 A-SI2333DDS-T1-GE3 A36-FDN306P
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-Channel 12 V 40 mOhm 1.8 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@5A,4.5V 40m Ohms@2.6A,4.5V
漏源极电压Vds -12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta),1.7W(Tc) 500mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -6A 2.6A
系列 SI PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1275pF @ 6V 1138pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 8V 17nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 149 3,091
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.463
100+ :  ¥1.122
750+ :  ¥0.9394
1,500+ :  ¥0.8536
3,000+ :  ¥0.792
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.2W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -12V -6A 28mΩ@5A,4.5V

暂无价格 149 当前型号
DMP1045U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 31mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 12V 5.2A

暂无价格 28 对比
DMP1045U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 31mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 12V 5.2A

暂无价格 0 对比
DMP1045U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 31mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 12V 5.2A

暂无价格 0 对比
FDN306P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.6A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 40m Ohms@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 12V 2.6A SOT-23-3

¥1.463 

阶梯数 价格
40: ¥1.463
100: ¥1.122
750: ¥0.9394
1,500: ¥0.8536
3,000: ¥0.792
3,091 对比
FDN306P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.6A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 40m Ohms@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 12V 2.6A SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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