SI2333CDS-T1-GE3 与 SI2333 区别
| 型号 | SI2333CDS-T1-GE3 | SI2333 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2333CDS-T1-GE3 | A3-SI2333-3 |
| 制造商 | Vishay | XBLW |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 12 V 0.039 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 | 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 18V 连续漏极电流(Id): 7A |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 12V | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3L |
| 连续漏极电流Id | 5.1A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1225pF @ 6V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 35mΩ | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 15 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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