首页 > 商品目录 > > > > SI2333代替型号比较

SI2333  与  SI2333DS-T1-GE3  区别

型号 SI2333 SI2333DS-T1-GE3
唯样编号 A-SI2333-3 A36-SI2333DS-T1-GE3
制造商 XBLW Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 18V 连续漏极电流(Id): 7A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23-3L SOT-23-3
连续漏极电流Id - 4.1A(Ta)
工作温度 - -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs - 32 mOhms @ 5.3A,4.5V
漏源极电压Vds - 12V
Pd-功率耗散(Max) - 750mW(Ta)
Vgs(最大值) - ±8V
Vgs(th) - 1V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 23,800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.519
100+ :  ¥2.013
750+ :  ¥1.804
1,500+ :  ¥1.705
3,000+ :  ¥1.617
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2333 XBLW  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3L

暂无价格 0 当前型号
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 7.1A(Tc) ±8V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 35mΩ@5.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 12V 5.1A 35mΩ

¥1.0395 

阶梯数 价格
50: ¥1.0395
200: ¥0.7997
1,500: ¥0.6952
3,000: ¥0.6468
101,733 对比
SI2333DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) P-Channel 32 mOhms @ 5.3A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 12V

¥2.519 

阶梯数 价格
20: ¥2.519
100: ¥2.013
750: ¥1.804
1,500: ¥1.705
3,000: ¥1.617
23,800 对比
SI2333DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) P-Channel 32 mOhms @ 5.3A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 12V

暂无价格 0 对比
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 7.1A(Tc) ±8V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 35mΩ@5.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 12V 5.1A 35mΩ

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售