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SI2333  与  SI2333CDS-T1-GE3  区别

型号 SI2333 SI2333CDS-T1-GE3
唯样编号 A-SI2333-3 A36-SI2333CDS-T1-GE3
制造商 XBLW Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 18V 连续漏极电流(Id): 7A P-Channel 12 V 0.039 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 35mΩ
漏源极电压Vds - 12V
Pd-功率耗散(Max) - 1.25W(Ta),2.5W(Tc)
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3L SOT-23-3
连续漏极电流Id - 5.1A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1225pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 0 101,733
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.0395
200+ :  ¥0.7997
1,500+ :  ¥0.6952
3,000+ :  ¥0.6468
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2333 XBLW  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3L

暂无价格 0 当前型号
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 7.1A(Tc) ±8V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 35mΩ@5.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 12V 5.1A 35mΩ

¥1.0395 

阶梯数 价格
50: ¥1.0395
200: ¥0.7997
1,500: ¥0.6952
3,000: ¥0.6468
101,733 对比
SI2333DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) P-Channel 32 mOhms @ 5.3A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 12V

¥2.519 

阶梯数 价格
20: ¥2.519
100: ¥2.013
750: ¥1.804
1,500: ¥1.705
3,000: ¥1.617
23,800 对比
SI2333DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) P-Channel 32 mOhms @ 5.3A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 12V

暂无价格 0 对比
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 7.1A(Tc) ±8V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 35mΩ@5.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 12V 5.1A 35mΩ

暂无价格 0 对比

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