SI2328DS-T1-GE3 与 BSS123 区别
| 型号 | SI2328DS-T1-GE3 | BSS123 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SI2328DS-T1-GE3 | A36-BSS123-4 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | MOSFET | ||||||||
| 描述 | Si2328DS Series 100 V 250 mOhm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23-3 (TO-236) | N-Channel 100 V 6 Ohm Logic Level Enhancement Mode FET - SOT-23-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | 1.60mm | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250mΩ | - | ||||||||
| 上升时间 | 11ns | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.73W | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 3.3nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 2V | - | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 9ns | - | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 4S | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.15A | - | ||||||||
| 系列 | SI2 | - | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 长度 | 2.9mm | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 下降时间 | 10ns | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 7ns | - | ||||||||
| 高度 | 1.45mm | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 160 | 7,397 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI2328DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 1.15A 0.73W 250mΩ 100V 2V |
暂无价格 | 160 | 当前型号 | ||||||||||
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BSS123 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.6292
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7,397 | 对比 | ||||||||||
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FDN86246 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
￥3.993
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290 | 对比 | ||||||||||||
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BSS123LG | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSS123.215 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSS123LG | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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