SI2323DDS-T1-GE3 与 DMP2066LSN-7 区别
| 型号 | SI2323DDS-T1-GE3 | DMP2066LSN-7 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2323DDS-T1-GE3 | A3-DMP2066LSN-7 | ||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 39mΩ@4.1A,4.5V | - | ||
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 960mW(Ta),1.7W(Tc) | 1.25W(Ta) | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 40mΩ@4.6A,4.5V | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 820 pF @ 15 V | ||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±12V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 10.1 nC @ 4.5 V | ||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SC-59-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | -5.3A | 4.6A(Ta) | ||
| 系列 | SI | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 驱动电压 | - | 2.5V,4.5V | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1160pF @ 10V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 8V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 106 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SI2323DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V |
￥1.0799
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106 | 当前型号 | ||||||
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PMV33UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V -20V -5.3A |
暂无价格 | 3,964 | 对比 | ||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
￥0.8665
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110 | 对比 | ||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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