首页 > 商品目录 > > > > SI2318DS-T1-E3代替型号比较

SI2318DS-T1-E3  与  RTR040N03TL  区别

型号 SI2318DS-T1-E3 RTR040N03TL
唯样编号 A-SI2318DS-T1-E3 A36-RTR040N03TL
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-CHANNEL 40 V 0.045 Ohm 0.75 W Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 RTR020N05 Series N-Channel 30 V 48 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - TSMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.60mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ 48mΩ
上升时间 - 18ns
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) 1W
栅极电压Vgs ±20V 12V
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 TSMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3A 4A
系列 TrenchFET® RTR040N03
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 20V 475pF @ 10V
长度 - 2.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V 8.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
下降时间 - 19ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 0.85mm
库存与单价
库存 0 1
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2318DS-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±20V 750mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 40V 3A 45mΩ

暂无价格 0 当前型号
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

暂无价格 1 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售