SI2304DDS-T1-GE3 与 FDN335N 区别
| 型号 | SI2304DDS-T1-GE3 | FDN335N | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2304DDS-T1-GE3 | A36-FDN335N-1 | ||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET | N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 零件号别名 | SI2304DDS-GE3 | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ | - | ||||||
| 上升时间 | 12ns | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | - | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 6.7nC | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 1.2V | - | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 10ns | - | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 11S | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.6A | - | ||||||
| 系列 | SI2 | - | ||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||
| 配置 | Single | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 15V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.7nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| 下降时间 | 5ns | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 5ns | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 4,103 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
|
FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.408
|
5,985 | 对比 | |||||||||||||
|
|
FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.4186
|
5,013 | 对比 | ||||||||||||
|
|
FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.935
|
4,103 | 对比 | ||||||||||||
|
NTR4170NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.7766
|
3,889 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
