SI2303CDS-T1-GE3 与 XP152A11E5MR-G 区别
| 型号 | SI2303CDS-T1-GE3 | XP152A11E5MR-G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2303CDS-T1-GE3 | A-XP152A11E5MR-G |
| 制造商 | Vishay | Torex Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.6 mm | - |
| 零件号别名 | SI2303BDS-T1-E3-S | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta),2.3W(Tc) | 500mW(Ta) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - | 4.5V,10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT23 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | - | 250 毫欧 @ 400mA,10V |
| Vgs（最大值） | - | ±20V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 1.9A | - |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 长度 | 2.9 mm | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 155pF @ 15V | - |
| 漏源电压（Vdss） | - | 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 10V | - |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | - | 700mA(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 160pF @ 10V |
| 高度 | 1.45 mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),2.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 1.9A 190mΩ |
暂无价格 | 50 | 当前型号 |
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DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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XP152A11E5MR-G | Torex Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23 500mW(Ta) 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NDS352AP | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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IRLML5103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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