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SI2303CDS-T1-GE3  与  IRLML5103TRPBF  区别

型号 SI2303CDS-T1-GE3 IRLML5103TRPBF
唯样编号 A-SI2303CDS-T1-GE3 A-IRLML5103TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
零件号别名 SI2303BDS-T1-E3-S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ 600mΩ@600mA,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta),2.3W(Tc) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.9A 0.76A
系列 SI HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
长度 2.9 mm -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 155pF @ 15V 75pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V 5.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
高度 1.45 mm -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
库存与单价
库存 50 3,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2303CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta),2.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 1.9A 190mΩ

暂无价格 50 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 对比
XP152A11E5MR-G Torex Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT23 500mW(Ta) 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
NDS352AP ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比

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