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SI2301CDS-T1-GE3  与  DMG3413L-7  区别

型号 SI2301CDS-T1-GE3 DMG3413L-7
唯样编号 A-SI2301CDS-T1-GE3 A36-DMG3413L-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 112mΩ@2.8A,4.5V -
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 860mW(Ta),1.6W(Tc) 700mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 95mΩ@3A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 857 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -3.1A 3A(Ta)
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
库存与单价
库存 721 4
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±8V 860mW(Ta),1.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -20V -3.1A 112mΩ@2.8A,4.5V

暂无价格 721 当前型号
DMG2301U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 130mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.7A

¥0.6323 

阶梯数 价格
80: ¥0.6323
200: ¥0.2865
1,500: ¥0.1782
3,000: ¥0.1425
78,302 对比
DMG2301L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.5W(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 3A(Ta)

¥0.4849 

阶梯数 价格
110: ¥0.4849
200: ¥0.3133
1,500: ¥0.2717
23,550 对比
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.08W(Ta) 110mΩ@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.6A

¥0.3437 

阶梯数 价格
150: ¥0.3437
200: ¥0.2563
1,500: ¥0.2219
3,000: ¥0.1977
4,459 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

暂无价格 378 对比
DMG3413L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 700mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 3A(Ta)

暂无价格 4 对比

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