SI2301CDS-T1-GE3 与 DMG2301U-7 区别
| 型号 | SI2301CDS-T1-GE3 | DMG2301U-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2301CDS-T1-GE3 | A3-DMG2301U-7 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET | P-Channel 20 V 80 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 112mΩ@2.8A,4.5V | 130mΩ@2.8A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 860mW(Ta),1.6W(Tc) | 800mW(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | -3.1A | 2.7A |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 405pF @ 10V | 608pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 4.5V | 6.5nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 2.5V,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 721 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 860mW(Ta),1.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -20V -3.1A 112mΩ@2.8A,4.5V |
暂无价格 | 721 | 当前型号 |
|
PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A |
暂无价格 | 378 | 对比 |
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DMP2215L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 100mΩ 20V 450mV P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 130mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP2215L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 100mΩ 20V 450mV P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP2225L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.08W(Ta) 110mΩ@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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