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SI2300DS-T1-GE3  与  FDN361BN  区别

型号 SI2300DS-T1-GE3 FDN361BN
唯样编号 A-SI2300DS-T1-GE3 A3t-FDN361BN
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 N-Channel 30 V 110 mOhm Logic Level PowerTrench - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.1W(Ta),1.7W(Tc) 500mW(Ta)
功率 - 500mW(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A 1.4A(Ta)
系列 TrenchFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 320pF @ 15V 193pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V 1.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 68mΩ@2.9A,4.5V 110 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 193pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2300DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 30V 3.6A 68mΩ@2.9A,4.5V

暂无价格 0 当前型号
NTR4503NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3(TO-236-3)

暂无价格 3,000 对比
BSH103BK Nexperia 小信号MOSFET

暂无价格 0 对比
NTR4503NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3(TO-236-3)

暂无价格 0 对比
FDN361BN ON Semiconductor 通用MOSFET

500mW(Ta) 110m Ohms@1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT 1.4A N-Channel 30V 1.4A(Ta) ±20V 110 毫欧 @ 1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 250mΩ@910mA,10V N-Channel 30V 1.2A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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