SI2300DS-T1-GE3 与 IRLML2803TRPBF 区别
| 型号 | SI2300DS-T1-GE3 | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2300DS-T1-GE3 | A-IRLML2803TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 | Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 68mΩ@2.9A,4.5V | 250mΩ@910mA,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.1W(Ta),1.7W(Tc) | 540mW(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.6A | 1.2A |
| 系列 | TrenchFET® | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 320pF @ 15V | 85pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V | 5nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 85pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 49 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2300DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 30V 3.6A 68mΩ@2.9A,4.5V |
暂无价格 | 49 | 当前型号 |
|
NTR4503NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3(TO-236-3) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
|
NTR4503NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3(TO-236-3) |
暂无价格 | 1 | 对比 |
|
BSH103BK | Nexperia | 小信号MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 250mΩ@910mA,10V N-Channel 30V 1.2A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
NX3020NAK | Nexperia | 通用MOSFET |
N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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