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SI1553CDL-T1-GE3  与  DMG1016UDW-7  区别

型号 SI1553CDL-T1-GE3 DMG1016UDW-7
唯样编号 A-SI1553CDL-T1-GE3 A36-DMG1016UDW-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N / P-Channel 20 V 0.39/0.85 O Power Mosfet - SOT-363 (SC-70-6) Dual N & P-Channel 20 V 450 mOhm Enhancement Mode Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 450mΩ@600mA,4.5V
上升时间 - 7.4ns,8.1ns
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 330mW
Qg-栅极电荷 - 736.6nC,622.4pC
栅极电压Vgs - ±6V
典型关闭延迟时间 - 26.7ns,28.4ns
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SC-70 SOT-363
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1.066A,845mA
系列 - DMG1016
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 60.67pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.74nC @ 4.5V
下降时间 - 12.3ns,20.72ns
典型接通延迟时间 - 5.1ns,5.1ns
库存与单价
库存 0 2,035
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.0277
90+ :  ¥0.6019
200+ :  ¥0.3887
1,500+ :  ¥0.338
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI1553CDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SC-70 N+P-Channel

¥1.0277 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.0277
0 当前型号
DMC2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

550mΩ@540mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 N+P-Channel 20V 0.54A,0.43A

¥0.5663 

阶梯数 价格
90: ¥0.5663
200: ¥0.3651
1,500: ¥0.3171
3,000: ¥0.2808
48,014 对比
DMG1016UDWQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N 和 P 沟道互补型 SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.066A (Ta), 845mA (Ta) 车规

¥0.5824 

阶梯数 价格
90: ¥0.5824
200: ¥0.4015
1,500: ¥0.3651
3,000: ¥0.3422
5,894 对比
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel

¥0.6019 

阶梯数 价格
90: ¥0.6019
200: ¥0.3887
1,500: ¥0.338
2,035 对比
PMGD290UCEAX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMGD290UCEA_SOT363 N+P-Channel 0.28W 150°C 0.75V,8V 20V 0.725A 车规

¥0.9716 

阶梯数 价格
560: ¥0.9716
1,000: ¥0.7591
1,500: ¥0.6222
3,000: ¥0.541
0 对比
PMGD290UCEAX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMGD290UCEA_SOT363 N+P-Channel 0.28W 150°C 0.75V,8V 20V 0.725A 车规

暂无价格 0 对比

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