首页 > 商品目录 > > > > SI1302DL-T1-GE3代替型号比较

SI1302DL-T1-GE3  与  NTS4001NT1G  区别

型号 SI1302DL-T1-GE3 NTS4001NT1G
唯样编号 A-SI1302DL-T1-GE3 A36-NTS4001NT1G-1
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-323 -
连续漏极电流Id 600mA(Ta) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 480 mOhms @ 600mA,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 280mW(Ta) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 363
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥0.5083
200+ :  ¥0.3276
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI1302DL-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

600mA(Ta) N-Channel 480 mOhms @ 600mA,10V 280mW(Ta) SOT-323 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
NTS4001NT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥0.5083 

阶梯数 价格
100: ¥0.5083
200: ¥0.3276
363 对比
PMF370XN-115 Nexperia 未分类

暂无价格 0 对比
PMF370XN,115 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

SOT323 N-Channel

暂无价格 0 对比
NTS4001NT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售