SI1012CR-T1-GE3 与 FDY301NZ 区别
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规格信息
型号	SI1012CR-T1-GE3	FDY301NZ
唯样编号	A-SI1012CR-T1-GE3	A3t-FDY301NZ
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述	N-Channel 20 V 0.396 Ohm 0.24 W Surface Mount Mosfet - SC-75A	N-Channel 20 V 5 Ohm Specified PowerTrench Mosfet - SC-89-3
数据表	246DACAD3CB433E86A352D422B9770A6.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	625mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	396mΩ@0.6A,4.5V	5 欧姆 @ 200mA,4.5V
漏源极电压Vds	20V	20V
Pd-功率耗散(Max)	0.24W	625mW(Ta)
栅极电压Vgs	±8V	±12V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	SC-75A	SC-89,SOT-490
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	0.63A	200mA(Ta)
系列	-	PowerTrench®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	60pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	1.1nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	60pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	1.1nC @ 4.5V
库存与单价
库存	40	0
工厂交货期	3 - 5天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SI1012CR-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	SC-75A N-Channel 0.24W 396mΩ@0.6A,4.5V -55°C~150°C ±8V 20V 0.63A	暂无价格	40	当前型号
DMG1012T-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel	暂无价格	3	对比
DMG1012T-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel	暂无价格	0	对比
DMG1012T-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel	暂无价格	0	对比
FDY301NZ	ON Semiconductor		通用MOSFET	625mW(Ta) 5 Ohms@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523F 0.2A N-Channel 20V 200mA(Ta) ±12V 5 欧姆 @ 200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-89-3 SC-89,SOT-490	暂无价格	0	对比