SI1012CR-T1-GE3 与 DMG1012T-7 区别
| 型号 | SI1012CR-T1-GE3 | DMG1012T-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI1012CR-T1-GE3 | A3-DMG1012T-7 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | N-Channel 20 V 0.396 Ohm 0.24 W Surface Mount Mosfet - SC-75A | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 396mΩ@0.6A,4.5V | 400mΩ@600mA,4.5V |
| 上升时间 | - | 7.4ns |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.24W | 280mW |
| Qg-栅极电荷 | - | 736.6pC |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±6V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 26.7ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SC-75A | SOT-523 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 0.63A | 630mA |
| 系列 | - | DMG1012 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 60.67pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.74nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V |
| 下降时间 | - | 12.3ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 5.1ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 40 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SC-75A N-Channel 0.24W 396mΩ@0.6A,4.5V -55°C~150°C ±8V 20V 0.63A |
暂无价格 | 40 | 当前型号 |
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DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel |
暂无价格 | 3 | 对比 |
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DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDY301NZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
625mW(Ta) 5 Ohms@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523F 0.2A N-Channel 20V 200mA(Ta) ±12V 5 欧姆 @ 200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-89-3 SC-89,SOT-490 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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