SH8KA4TB 与 ZXMN3A04DN8TA 区别
| 型号 | SH8KA4TB | ZXMN3A04DN8TA | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-SH8KA4TB | A36-ZXMN3A04DN8TA | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 3W | 1.81W | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 20mΩ@12.6A,10V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1890pF @ 15V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 36.8nC @ 10V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOP | 8-SO | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A | 6.5A | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 640pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.5nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 21.4mΩ@9A,10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 100 | 486 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥8.0438
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100 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥2.712
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6,731 | 对比 | ||||||||||||
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AO4924 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 12V 9A 2W 15.8mΩ@10V |
￥2
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.596
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925 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.8A |
￥2.82
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745 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A04DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.81W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.5A |
￥6.948
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486 | 对比 |
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