SH8K32TB1 与 DMN6066SSD-13 区别
| 型号 | SH8K32TB1 | DMN6066SSD-13 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-SH8K32TB1 | A36-DMN6066SSD-13 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 | DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@4.5A,10V | 66mΩ@4.5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.8W | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 4.4A | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 502pF @ 30V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.3nC @ 10V | ||||||||||
| 栅极电荷Qg | 10nC@5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 545 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥13.8916
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2,500 | 当前型号 | ||||||||
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DMN6066SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A |
￥1.903
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545 | 对比 | ||||||||
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DMN6066SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 |
￥2.277
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46 | 对比 | ||||||||
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SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) SOIC-8 6.5A 3.7W 41mΩ 60V 1V |
￥4.609
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197 | 对比 | ||||||||
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SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) SOIC-8 6.5A 3.7W 41mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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