SH8K12TB1 与 ZXMN3A06DN8TA 区别
| 型号 | SH8K12TB1 | ZXMN3A06DN8TA | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SH8K12TB1 | A36-ZXMN3A06DN8TA | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率-最大值 | 2W | - | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.8W | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 35mΩ@9A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 250pF @ 10V | 796pF @ 25V | ||||
| FET类型 | 2 N-通道(双) | 2N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 17.5nC @ 10V | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOP | 8-SO | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.9A | ||||
| FET功能 | 逻辑电平门 | - | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 42 毫欧 @ 5A,10V | - | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A | - | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 4nC @ 5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 248 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SH8K12TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) 2 N-通道(双) 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 4.9A |
￥2.552
|
248 | 对比 | ||||||
|
SP8K1TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) 2 N-通道(双) 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
