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SH8K12TB1  与  ZXMN3A06DN8TA  区别

型号 SH8K12TB1 ZXMN3A06DN8TA
唯样编号 A-SH8K12TB1 A36-ZXMN3A06DN8TA
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率-最大值 2W -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 35mΩ@9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 10V 796pF @ 25V
FET类型 2 N-通道(双) 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 17.5nC @ 10V
封装/外壳 8-SOP 8-SO
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 4.9A
FET功能 逻辑电平门 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 42 毫欧 @ 5A,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 5A -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 976
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.112
50+ :  ¥1.6192
500+ :  ¥1.5048
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8K12TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) 2 N-通道(双) 8-SOP

暂无价格 0 当前型号
ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 4.9A

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
50: ¥1.6192
500: ¥1.5048
976 对比
SP8K1TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) 2 N-通道(双) 8-SOP

暂无价格 0 对比

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