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SCT3060ALGC11  与  SPW47N65C3  区别

型号 SCT3060ALGC11 SPW47N65C3
唯样编号 A-SCT3060ALGC11 A-SPW47N65C3
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3060AL Series 650 V 39 A 78 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ 70mΩ
上升时间 37ns 27ns
漏源极电压Vds 650V 650V
Pd-功率耗散(Max) 165W 415W
Qg-栅极电荷 58nC 255nC
栅极电压Vgs 5.6V 10V
典型关闭延迟时间 34ns 210ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 39A 47A
系列 SCT3x CoolMOSC3
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 6.67mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 852pF @ 500V -
长度 - 16.13mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 18V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
下降时间 21ns 14ns
典型接通延迟时间 19ns 100ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
450+ :  ¥51.5009
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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450: ¥51.5009
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