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SCT3017ALHRC11  与  SCT3017ALGC11  区别

型号 SCT3017ALHRC11 SCT3017ALGC11
唯样编号 A-SCT3017ALHRC11 A3-SCT3017ALGC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id 118A(Tc) -
工作温度 175℃(TJ) -
漏源极电压Vds 650V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 427W -
Vgs(最大值) +22V,-4V -
栅极电荷Qg 172nC@18V -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 22.1mOhms@47A,18V -
栅极电压Vgs 5.6V@23.5mA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 305
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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暂无价格 0 当前型号
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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¥650.4342 

阶梯数 价格
1: ¥650.4342
2: ¥622.0799
3: ¥612.622
4: ¥607.8979
5: ¥605.0615
9: ¥600.0212
10: ¥599.3888
20: ¥596.5524
450 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥650.4342 

阶梯数 价格
1: ¥650.4342
2: ¥622.0799
3: ¥612.622
4: ¥607.8979
5: ¥605.0615
9: ¥600.0212
10: ¥599.3888
20: ¥596.5524
431 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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暂无价格 305 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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¥428.9706 

阶梯数 价格
450: ¥428.9706
0 对比

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