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RTR030N05TL  与  MGSF2N02ELT1G  区别

型号 RTR030N05TL MGSF2N02ELT1G
唯样编号 A-RTR030N05TL A36-MGSF2N02ELT1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1W(Ta) -
功率 - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±8V
封装/外壳 TSMT3 SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.8A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 67 毫欧 @ 3A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 150pF @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 150pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4V
25°C时电流-连续漏极(Id) 3A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 45V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 5,901
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.43
100+ :  ¥1.0956
750+ :  ¥0.9119
1,500+ :  ¥0.8294
3,000+ :  ¥0.7689
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR030N05TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT3

暂无价格 0 当前型号
MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±8V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V N-Channel 20V 2.8A(Ta)

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.0956
750: ¥0.9119
1,500: ¥0.8294
3,000: ¥0.7689
5,901 对比

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