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RTR025N03TL  与  IRLML6344TRPBF  区别

型号 RTR025N03TL IRLML6344TRPBF
唯样编号 A-RTR025N03TL A-IRLML6344TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V 29mΩ@5A,4.5V
上升时间 15 ns -
栅极电压Vgs 12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 TSMT SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 5A
配置 Single -
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 10 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
高度 0.85 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.3W(Ta)
典型关闭延迟时间 25 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RTR HEXFET®
通道数量 1 Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V 650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V 6.8nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 9 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 3,048
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 0 当前型号
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23

暂无价格 3,048 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

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AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 700mW(Ta) 38mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A

暂无价格 0 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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