RTQ035P02TR 与 DMP2033UVT-7 区别
| 型号 | RTQ035P02TR | DMP2033UVT-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RTQ035P02TR | A-DMP2033UVT-7 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6 | MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.2W(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ@4.2A,4.5V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1200pF @ 10V | 845 pF @ 15 V |
| 栅极电压Vgs | - | ±8V |
| FET类型 | P 通道 | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 10.4 nC @ 4.5 V |
| 封装/外壳 | TSMT6(SC-95) | TSOT-23 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 4.2A(Ta) |
| 驱动电压 | - | 1.8V,4.5V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 65 毫欧 @ 3.5A,4.5V | - |
| Vgs(最大值) | ±12V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.5V,4.5V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 3.5A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 10.5nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RTQ035P02TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMP2033UVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.2W(Ta) ±8V TSOT-23 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP2033UVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.2W(Ta) ±8V TSOT-23 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |