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RSQ015P10HZGTR  与  RSQ015P10FRATR  区别

型号 RSQ015P10HZGTR RSQ015P10FRATR
唯样编号 A-RSQ015P10HZGTR A-RSQ015P10FRATR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 470mΩ@-1.5A,-10V
漏源极电压Vds 100V -100V
产品特性 车规 车规
Pd-功率耗散(Max) 950mW(Ta) 1.25W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 470mOhms@1.5A,10V -
栅极电压Vgs 2.5V@1mA ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TSOT-23-6 SOT-457
连续漏极电流Id 1.5A(Ta) 1.5A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg 17nC@5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSQ015P10HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

1.5A(Ta) P-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150°C(TJ) 100V 车规

暂无价格 0 当前型号
RSQ015P10FRATR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-457 P-Channel 1.25W 470mΩ@-1.5A,-10V -55°C~150°C ±20V -100V 1.5A 车规

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