RSQ015N06HZGTR 与 RSQ015N06FRATR 区别
| 型号 | RSQ015N06HZGTR | RSQ015N06FRATR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RSQ015N06HZGTR | A-RSQ015N06FRATR |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 950mW(Ta) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 110pF @ 10V | - |
| FET类型 | N 通道 | - |
| 封装/外壳 | TSMT6(SC-95) | - |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 290 毫欧 @ 1.5A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.5A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 2nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RSQ015N06HZGTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TSMT6(SC-95) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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RSQ015N06TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 60V 1.5A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 290mΩ@1.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥0.8453
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1,639 | 对比 | ||||||||||
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RSQ015N06TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 60V 1.5A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 290mΩ@1.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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RSQ015N06TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 60V 1.5A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 290mΩ@1.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥4.0971
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100 | 对比 | ||||||||||
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RSQ015N06FRATR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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