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RSJ400N06FRATL  与  IRFS3806TRLPBF  区别

型号 RSJ400N06FRATL IRFS3806TRLPBF
唯样编号 A-RSJ400N06FRATL A-IRFS3806TRLPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 15.8 mO 71 W Surface Mount Synchronous HexFet Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ 15.8mΩ@25A,10V
上升时间 60ns -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 52nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
封装/外壳 D2PAK-3 D2PAK
连续漏极电流Id 40A,40A 43A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 140ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1150pF @ 50V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 50W 71W(Tc)
典型关闭延迟时间 90ns -
FET类型 - N-Channel
通道数量 1Channel -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1150pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
典型接通延迟时间 20ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 0 当前型号
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 86W 175°C 3V 60V 50A

暂无价格 0 对比
BUK7613-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 96W -55°C~175°C ±20V 60V 58A

暂无价格 0 对比
IRF1010ESTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3806TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D2PAK

暂无价格 0 对比

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