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RSH070N05GZETB  与  RSH070N05TB1  区别

型号 RSH070N05GZETB RSH070N05TB1
唯样编号 A-RSH070N05GZETB A33-RSH070N05TB1-1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2W
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@7A,10V 25mΩ@7A,10V
漏源极电压Vds 45V 45V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs 20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id 7A(Ta) 7A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 10V 1000pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.8nC @ 5V 16.8nC
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.7461
50+ :  ¥4.8967
100+ :  ¥4.2834
300+ :  ¥3.8809
500+ :  ¥3.7947
1,000+ :  ¥3.7372
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSH070N05GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 2W(Ta) 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
RSH070N05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

¥1.54 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.54
20,000 对比
RSH070N05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

¥6.7461 

阶梯数 价格
30: ¥6.7461
50: ¥4.8967
100: ¥4.2834
300: ¥3.8809
500: ¥3.7947
1,000: ¥3.7372
2,500 对比
RSH070N05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

¥6.7461 

阶梯数 价格
30: ¥6.7461
50: ¥4.8967
53 对比
RSH070N05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

暂无价格 0 对比

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