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RSD150N06TL  与  RD3L150SNFRATL  区别

型号 RSD150N06TL RD3L150SNFRATL
唯样编号 A-RSD150N06TL A-RD3L150SNFRATL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 20W
Qg-栅极电荷 - 18 nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 CPT3 TO-252-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 15A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 15A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

暂无价格 0 当前型号
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥9.8028 

阶梯数 价格
20: ¥9.8028
50: ¥6.5352
100: ¥5.232
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.705
2,000: ¥4.6379
4,000: ¥4.6092
4,547 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,153 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD26N06S2L-35 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD26N06S2L35ATMA2_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

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