RSD140P06TL 与 SUD19P06-60-GE3 区别
| 型号 | RSD140P06TL | SUD19P06-60-GE3 |
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| 唯样编号 | A-RSD140P06TL | A3-SUD19P06-60-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 14A CPT3 | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 20W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60 mOhms @ 10A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1900pF @ 10V | - |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| FET类型 | P 通道 | P-Channel |
| 封装/外壳 | CPT3 | TO-252 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 18.3A(Tc) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 84 毫欧 @ 14A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 14A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 27nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 12,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RSD140P06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规 |
¥7.8193
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645 | 对比 | ||||||||||||
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RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规 |
¥7.8193
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400 | 对比 | ||||||||||||
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RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规 |
¥2.4584
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0 | 对比 | ||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 12,000 | 对比 |