首页 > 商品目录 > > > > RS6R035BHTB1代替型号比较

RS6R035BHTB1  与  IRF7465  区别

型号 RS6R035BHTB1 IRF7465
唯样编号 A-RS6R035BHTB1 A-IRF7465
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@35A,10V 280mΩ@1.14A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 73W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO8
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 35A 1.9A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.5821
100+ :  ¥6.7911
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥13.5821 

阶梯数 价格
1: ¥13.5821
100: ¥6.7911
100 当前型号
BSC520N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 5,000 对比
BSC520N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
IRF7451 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF7465 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
BSC360N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC360N15NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售