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RS6R035BHTB1  与  BSC360N15NS3GATMA1  区别

型号 RS6R035BHTB1 BSC360N15NS3GATMA1
唯样编号 A-RS6R035BHTB1 A-BSC360N15NS3GATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 74W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@35A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 150V -
Pd-功率耗散(Max) 73W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1190pF @ 75V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 35A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 45uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 36 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 33A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 8V,10V
漏源电压(Vdss) - 150V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.5821
100+ :  ¥6.7911
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥13.5821 

阶梯数 价格
1: ¥13.5821
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