RS6P100BHTB1 与 SIR606BDP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6P100BHTB1 | SIR606BDP-T1-RE3 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RS6P100BHTB1 | A36-SIR606BDP-T1-RE3 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PowerPAKSO-8 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 104W | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 5.9mΩ@90A,10V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 97 | 2,990 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
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97 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC035N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥3.211
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6,349 | 对比 | ||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
￥7.878
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2,990 | 对比 |
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