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RS6P100BHTB1  与  SI4058DY-T1-GE3  区别

型号 RS6P100BHTB1 SI4058DY-T1-GE3
唯样编号 A-RS6P100BHTB1 A36-SI4058DY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
连续漏极电流Id 100A 10.3A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V 26 mOhms @ 10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 104W 5.6W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.8V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 97 6,727
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥19.6519
100+ :  ¥9.8259
20+ :  ¥2.673
100+ :  ¥2.046
1,250+ :  ¥1.793
2,500+ :  ¥1.705
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC035N10NS5ATMA1_8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A

暂无价格 5,000 对比
SI7456DDP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),35.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 27.8A 23mΩ 2.8V

¥6.0192 

阶梯数 价格
9: ¥6.0192
100: ¥5.016
750: ¥4.6398
1,500: ¥4.4308
3,000: ¥4.2532
23,887 对比
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.673 

阶梯数 价格
20: ¥2.673
100: ¥2.046
1,250: ¥1.793
2,500: ¥1.705
6,727 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

¥5.445 

阶梯数 价格
10: ¥5.445
100: ¥4.532
1,250: ¥4.125
2,428 对比
SI4056ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Ta),8.3A(Tc) N-Channel 29.2 mOhms @ 5.9A,10V 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.255
549 对比

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