RS6P100BHTB1 与 FDS3672 区别
| 型号 | RS6P100BHTB1 | FDS3672 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-RS6P100BHTB1 | A36-FDS3672 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.9mΩ@90A,10V | 23mΩ@7.5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 2.5W(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SOIC | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 7.5A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2015pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 37nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 97 | 1,897 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
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97 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC035N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.882
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6,464 | 对比 | ||||||||||
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FDS3672 | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC |
￥5.357
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1,897 | 对比 | ||||||||||
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SiR106ADP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
PowerPAK® SO-8 Single -55°C~150°C 65.8A 8mΩ@15A,10V 100V 83.3W ±20V N-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
23.2A (Ta),95A (Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 55 | 对比 |
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