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RS6P100BHTB1  与  SI4190ADY-T1-GE3  区别

型号 RS6P100BHTB1 SI4190ADY-T1-GE3
唯样编号 A-RS6P100BHTB1 A-SI4190ADY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V 8.8mΩ
零件号别名 - SI4190ADY-GE3
漏源极电压Vds 100V 2.8V
Pd-功率耗散(Max) 104W 3W(Ta),6W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
连续漏极电流Id 100A 18.4A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - SI
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 250µA
长度 - 4.9 mm
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1970pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
高度 - 1.75 mm
库存与单价
库存 97 50
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥19.6519
100+ :  ¥9.8259
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A

暂无价格 0 对比
SiR106ADP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK® SO-8 Single -55°C~150°C 65.8A 8mΩ@15A,10V 100V 83.3W ±20V N-Channel

暂无价格 100 对比
SIR170DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

23.2A (Ta),95A (Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V

暂无价格 55 对比
SI4190ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 18.4A 8.8mΩ 2.8V

暂无价格 50 对比
SI7454FDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8 Single -55°C~150°C 23.5A 29.5mΩ@10A,10V 100V 39W ±20V N-Channel

暂无价格 30 对比

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