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RS6P060BHTB1  与  FDS3672  区别

型号 RS6P060BHTB1 FDS3672
唯样编号 A-RS6P060BHTB1 A36-FDS3672
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 23mΩ@7.5A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 73W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 60A 7.5A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2015pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 37nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 95 2,500
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
8+ :  ¥6.963
100+ :  ¥5.808
1,250+ :  ¥5.269
2,500+ :  ¥5.06
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 当前型号
BSC098N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5ATMA1_100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7

暂无价格 5,000 对比
SI7456DDP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),35.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 27.8A 23mΩ 2.8V

¥6.534 

阶梯数 价格
8: ¥6.534
100: ¥5.445
750: ¥5.049
1,500: ¥4.807
3,000: ¥4.62
25,290 对比
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 100V

¥2.585 

阶梯数 价格
20: ¥2.585
100: ¥1.991
1,250: ¥1.727
2,500: ¥1.65
6,758 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

¥6.963 

阶梯数 价格
8: ¥6.963
100: ¥5.808
1,250: ¥5.269
2,500: ¥5.06
2,500 对比
SI4056ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Ta),8.3A(Tc) N-Channel 29.2 mOhms @ 5.9A,10V 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 100V

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.255
579 对比

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