RS6P060BHTB1 与 SI7454FDP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6P060BHTB1 | SI7454FDP-T1-RE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RS6P060BHTB1 | A-SI7454FDP-T1-RE3 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SOT669 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 23.5A | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.6mΩ@60A,10V | 29.5mΩ@10A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | 39W | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 95 | 30 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.2013
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95 | 当前型号 | ||||||
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BSC098N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||
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SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 18.4A 8.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||
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SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C 23.5A 29.5mΩ@10A,10V 100V 39W ±20V N-Channel SOT669 |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||
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IRF7473TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.1A,10V N-Channel 100V 6.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FDS86106 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.4A(Ta) ±20V 5W(Ta) 105mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 3.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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